倒装芯片激光压合键合 1.Technical Principle 通过高能激光脉冲(波长980nm/1064nm)与机械压力协同作用,实现芯片与基板的精密连接。其核心机制包括:激光热压效应:激光能量被键合界面材料(如焊料/胶层)吸收,瞬间升温至熔融状态(200-350℃),同时施加可控压力(10-50N/cm²)促进原子扩散;应力补偿:透明压盖(如石英玻璃)配合红外测温实时调节压力分布,抵消芯片与基板热膨胀系数差异(CTE mismatch);微区精准控制:光斑尺寸可聚焦至20μm²,实现凸点级(μBump)键合,精度达±1μm。 2.工艺流程 3.技术优势对比 指标传统热压键合(TCB)激光压合键合(LCB)提升幅度加热速度5-10℃/s200℃/s20倍热影响区(HAZ)>50μm<5μm降低90%键合压力均匀性±15%±3%提升80%最小凸点间距30μm10μm缩小67%适用基板厚度>100μm25-50μm扩展50% Prev: 倒装芯片激光回流焊 Next: 共晶预成型件激光焊接