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倒装芯片激光压合键合

1.Technical Principle

通过高能激光脉冲(波长980nm/1064nm)与机械压力协同作用,实现芯片与基板的精密连接。其核心机制包括:

  • 激光热压效应​:激光能量被键合界面材料(如焊料/胶层)吸收,瞬间升温至熔融状态(200-350℃),同时施加可控压力(10-50N/cm²)促进原子扩散;
  • 应力补偿​:透明压盖(如石英玻璃)配合红外测温实时调节压力分布,抵消芯片与基板热膨胀系数差异(CTE mismatch);
  • 微区精准控制​:光斑尺寸可聚焦至20μm²,实现凸点级(μBump)键合,精度达±1μm。

2.工艺流程

3.技术优势对比

指标传统热压键合(TCB)激光压合键合(LCB)提升幅度
加热速度5-10℃/s200℃/s20倍
热影响区(HAZ)>50μm<5μm降低90%
键合压力均匀性±15%±3%提升80%
最小凸点间距30μm10μm缩小67%
适用基板厚度>100μm25-50μm扩展50%

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