超薄芯片拾取技术

随着半导体工艺进入纳米级节点，芯片厚度已降至100μm以下，传统机械顶针拾取方式面临严峻挑战。该技术通过物理顶针使晶圆薄膜（Wafer Tape）上的胶层分离，但极易导致超薄芯片（Die）产生微裂纹（Micro-crack）或隐形损伤（Latent Defect），良率损失大。 行业正转向热辅助拾取技术，其核心原理是通过精准加热使UV胶或热敏胶（Thermal-sensitive Adhesive）的粘附力降低。

• 温度梯度失控：局部过热导致薄膜碳化； 
• 热响应延迟：升温速率影响生产效率；
• 能量浪费：热效率不足。 

• 通过光学处理实现激光光斑的均匀性，避免热点损伤；
• 高速闭环温控：基于红外测温传感器（采样率10kHz）动态调节激光功率，温控精度达±2℃；
• 选择性加热：激光仅作用于胶层界面。