DYNALAS
1.技术原理
引线键合用激光基板加热器通过高能激光选择性加热基板特定区域，实现精准温控与快速热输入，其核心机制包括：
- 定向能量输入：激光束（波长900-1064nm）聚焦至基板焊盘区域（光斑尺寸50-200μm），能量密度达10^5-10^6 W/cm²，使局部温度在毫秒级升至200-400℃，满足键合需求；
- 非接触式加热：避免传统热传导导致的基板整体升温，减少热应力与翘曲（<3μm）；
- 动态温控系统：结合红外测温（精度±0.3℃）与PID闭环反馈，实现±1℃实时温控。
2.核心优势对比
| 指标 | 传统加热方式（如电阻加热） | 激光基板加热器 | 提升幅度 |
|---|---|---|---|
| 加热速度 | 5-10℃/s | 200℃/s | 20倍 |
| 热影响区（HAZ） | >50μm | <5μm | 降低90% |
| 温度均匀性 | ±5℃ | ±1℃ | 提升80% |
| 适用材料 | 均匀导热材料（如铜） | 异种材料（SiC、陶瓷） | 扩展应用 |
| 能耗 | 高（>150J/mm²） | 低（<30J/mm²） | 降低80% |
3.典型应用场景
① 高密度引线键合
- 微间距键合：支持10μm间距金线/铜线键合，热损伤降低90%；
- 多芯片堆叠：激光局部加热基板焊盘，实现3D堆叠芯片的垂直互连，热阻降低40%。
② 异质材料键合
- SiC功率器件：激光加热碳化硅基板（吸收率>90%@1064nm），实现铝线键合，抗拉强度>50MPa；
- 陶瓷基板：氧化铝基板激光预热（150℃）后键合，空洞率<2%。
③ 可靠性敏感场景
- MEMS传感器封装：激光加热避免MEMS结构热变形，灵敏度偏差<0.1%；
- 车规级芯片：-40℃~175℃宽温域键合，热循环寿命提升至1000次以上。
4.未来趋势
- 超高速加热：飞秒激光（脉宽<100fs）实现皮秒级温升，用于超薄芯片（<10μm）无损键合；
- 绿色制造：开发绿光激光（532nm）降低能耗，结合无铅焊料工艺，符合RoHS标准；
- 智能化升级：AI实时优化加热参数（响应时间<1ms），缺陷率降低至<0.01%。