DYNALAS
1.倒装芯片技术演进
倒装芯片通过凸点（Bump）直接连接芯片与基板，取代传统引线键合（Wire Bonding），实现更高密度I/O（每平方毫米超1000个焊点）、更短电信号路径（降低50%电感）和更优散热性能。
2.传统回流焊的局限性
- 热应力问题：整体加热导致基板翘曲（热膨胀系数差异达3-5ppm/℃）；
- 工艺效率低：批量回流需30-60分钟，无法满足高密度封装需求；
- 精度不足：±20μm的定位误差限制微凸点（μBump）应用。
3.激光回流焊的优势
- 局部精准加热：激光束（波长980nm/1064nm）聚焦至50μm²区域，实现微区熔融；
- 温度梯度控制：升温速率>100℃/s，峰值温度较传统工艺降低30%（220-260℃）；
- 无接触加工：避免机械应力损伤超薄芯片（<50μm）。
4.典型工艺流程
5.工艺参数与性能对比
| 参数 | 传统回流焊 | 激光回流焊 | 提升幅度 |
| 加热速度 | 5-10℃/s | 100-200℃/s | 10-20倍 |
| 峰值温度 | 245℃（Sn63/Pb37） | 220℃（无铅工艺 | 降低10% |
| 热应力（CTE匹配） | >150MPa（Al基板） | <80MPa（Si基板） | 降低47% |
| 定位精度 | ±25μm | ±5μm | 提升5倍 |
| 适用凸点尺寸 | >50μm | 10-30μm | 缩小60% |
6.典型应用场景
①高性能计算芯片：
- CPU/GPU封装
- HBM存储堆叠
②汽车电子：
- ADAS芯片
- 激光雷达
- 车载摄像头
③光电子集成：
- VCSEL阵列
- Mini LED
- Micro-LED